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元器件采购网 > M-993页 > 晶体管(BJT) - 阵列MBT3946DW1T2G

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MBT3946DW1T2G

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MBT3946DW1T2G参数
产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
说明:TRANS GP DUAL 200MA 40V SOT-363
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:300MHz,250MHz
安装类型:表面贴装

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